Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BC859B,215
BC859B,215

BC859B,215 NXP Semiconductors

BC859_BC860.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7850000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13172+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 13172
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC859B,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC859B,215 за ціною від 1.74 грн до 16.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : NXP Semiconductors 11034104738248bc859_bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9542000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13889+2.23 грн
100000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 13889
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.08 грн
36+9.12 грн
100+5.65 грн
500+3.87 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.73 грн
91+9.64 грн
164+5.30 грн
500+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 Виробник : NEXPERIA BC859_BC860.pdf BC859B.215 PNP SMD transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.23 грн
622+1.84 грн
1709+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : NEXPERIA 11034104738248bc859_bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Виробник : Nexperia BC859_BC860.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .1A PNP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.