BC859B,215 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7850000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13172+ | 1.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859B,215 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC859B,215 за ціною від 1.86 грн до 16.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC859B,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9542000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .1A PNP BJT |
товару немає в наявності |





