
BC859B,215 Nexperia
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
13889+ | 0.88 грн |
15000+ | 0.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859B,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BC859B,215 за ціною від 0.95 грн до 14.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 68712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 68712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7850000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9542000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 16897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 16897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
BC859B,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |