Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > BC859B,215
BC859B,215

BC859B,215 NXP Semiconductors

11034104738248bc859_bc860.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7755886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12500+2.82 грн
100000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC859B,215 NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BC859B,215 за ціною від 1.56 грн до 13.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BC859B,215 BC859B,215 Nexperia bc859bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2977+4.74 грн
3827+3.69 грн
4374+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 2977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 NEXPERIA BC859_BC860.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
67+6.35 грн
100+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
47+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Nexperia bc859bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.17 грн
91+8.28 грн
97+7.83 грн
148+4.93 грн
250+4.23 грн
500+3.16 грн
1000+2.77 грн
3000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 Nexperia BC859_BC860.pdf Bipolar Transistors - BJT BC859B/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859B,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 bc859bc860.pdf
BC859B,215
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2977+4.74 грн
3827+3.69 грн
4374+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 2977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859_BC860.pdf
BC859B,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
67+6.35 грн
100+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859_BC860.pdf
BC859B,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.08 грн
47+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 bc859bc860.pdf
BC859B,215
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+13.17 грн
91+8.28 грн
97+7.83 грн
148+4.93 грн
250+4.23 грн
500+3.16 грн
1000+2.77 грн
3000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 BC859_BC860.pdf
BC859B,215
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC859B/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC859B,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859B,215 NEXP-S-A0002881218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC859B,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.