BC859BW,135 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC859BW,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20000+ | 1.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859BW,135 NEXPERIA
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC859BW,135
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BC859BW,135 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|
 |
BC859BW,135 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
 |
BC859BW,135 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|
 |
BC859BW,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
 |
BC859BW,135 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC859BW/SOT323/SC-70 |
товар відсутній |
|
|
|
BC859BW,135 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |