BC859C,215 NXP Semiconductors
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13889+ | 2.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859C,215 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC859C,215 за ціною від 1.66 грн до 13.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 298050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 128930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .1A PNP BJT |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 836 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC859C,215 | Виробник : NXP |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Substitute: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215; BC859C,215 SOT23 NXP TBC859c NXPкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BC859C,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |




