BC859C,235

BC859C,235 Nexperia


120bc859_bc860.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16130+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 16130
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC859C,235 Nexperia

Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 250 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BC859C,235 за ціною від 1.03 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : Nexperia BC859_BC860.pdf Bipolar Transistors - BJT BC859C/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.64 грн
48+7.11 грн
100+3.16 грн
1000+2.13 грн
2500+1.84 грн
10000+1.32 грн
20000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
36+8.66 грн
100+5.36 грн
500+3.66 грн
1000+3.22 грн
2000+2.85 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 Виробник : NEXPERIA BC859_BC860.pdf Description: NEXPERIA - BC859C,235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 20000
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : NEXPERIA 11034104738248bc859_bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : Nexperia 120bc859_bc860.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : NEXPERIA BC859_BC860.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 11 inch reel; tape
Current gain: 420...800
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859_BC860.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859C,235 BC859C,235 Виробник : NEXPERIA BC859_BC860.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 11 inch reel; tape
Current gain: 420...800
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.