BC859CW,115 NXP
Виробник: NXP
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115; BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA TBC859cw
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859CW,115 NXP
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC859CW,115 за ціною від 2.59 грн до 13.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC859CW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 165462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859CW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BC859CW,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 200 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-323 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC859CW,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC859CW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC859CW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC859CW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 165462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11407+ | 3.10 грн |
| 100000+ | 2.59 грн |
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11407+ | 3.10 грн |
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-323
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.30 грн |
| 39+ | 7.83 грн |
| 100+ | 4.86 грн |
| 500+ | 3.32 грн |
| 1000+ | 2.92 грн |
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BC859CW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




