BC859CW,115 Nexperia
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12766+ | 2.43 грн |
| 100000+ | 2.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC859CW,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BC859CW,115 за ціною від 2.04 грн до 18.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BC859CW,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC859CW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC859CW,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT323 45V .1A PNP BJT |
на замовлення 16498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC859CW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC859CW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BC859CW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BC859CW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BC859CW,115 | Виробник : NXP |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Substitute: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115; BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA TBC859cw кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
BC859CW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
BC859CW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |