BC859CW,115

BC859CW,115 Nexperia


bc859w860w.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC859CW,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BC859CW,115 за ціною від 1.28 грн до 13.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.02 грн
100000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.16 грн
59+6.76 грн
72+5.50 грн
112+3.54 грн
135+2.93 грн
500+1.96 грн
546+1.69 грн
1500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS19380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.34 грн
107+7.92 грн
169+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : NEXPERIA BC859W_860W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.19 грн
35+8.42 грн
43+6.60 грн
67+4.24 грн
100+3.52 грн
500+2.35 грн
546+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia BC859W_860W.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP general purpose transistors
на замовлення 20719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.47 грн
46+7.64 грн
100+4.23 грн
500+3.02 грн
1000+2.49 грн
3000+1.74 грн
24000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
39+8.17 грн
100+5.07 грн
500+3.46 грн
1000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS19380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC859CW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 Виробник : NXP BC859W_860W.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R Substitute: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115; BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA TBC859cw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : NEXPERIA 1746114262916054bc859w_860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia bc859w860w.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC859CW,115 BC859CW,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BC859W_860W.pdf Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.