Технічний опис BC859CW,135 Nexperia
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BC859CW,135 за ціною від 2.78 грн до 14.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC859CW,135 | Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
BC859CW,135 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BC859CW,135 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| BC859CW,135 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| BC859CW,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC859CW,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 17227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17227 шт В кошику од. на суму грн. |
| BC859CW,135 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.76 грн |
| 34+ | 8.82 грн |
| 50+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.13 грн |
| BC859CW,135 |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70
Bipolar Transistors - BJT BC859CW/SOT323/SC-70
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BC859CW,135 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12766+ | 2.78 грн |
| BC859CW,135 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12766+ | 2.78 грн |
| BC859CW,135 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC859CW,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC859CW,135 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)