BCM846SH6327 Infineon
Виробник: Infineon
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW BCM846SH6327XTSA1 BCM846SH6327 BCM846S TBCM846s
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM846SH6327 Infineon
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCM846SH6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BCM846SH6327 | Infineon Technologies |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
BCM 846S H6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCM846SH6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCM 846S H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.