BCM847DS/DG/B2115 NXP USA Inc.
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4438+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM847DS/DG/B2115 NXP USA Inc.
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA 6-TSOP, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BCM847DS/DG/B2115 за ціною від 5.69 грн до 5.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCM847DS/DG/B2115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BCM847DS/DG/B2 115 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |