Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM856BS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 300mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.
Інші пропозиції BCM856BS,115 за ціною від 7.94 грн до 70.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCM856BS,115 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SC88,SOT363,TSSOP6 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175MHz |
на замовлення 3637 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 300mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BS,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/P NP BJT |
на замовлення 1746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 300mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM856BS,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 445 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SC88,SOT363,TSSOP6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SC88,SOT363,TSSOP6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
на замовлення 3637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.27 грн |
| 25+ | 17.20 грн |
| 29+ | 14.62 грн |
| 100+ | 11.72 грн |
| 250+ | 10.55 грн |
| 500+ | 9.72 грн |
| 1000+ | 9.31 грн |
| 3000+ | 8.31 грн |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 17.65 грн |
| 1500+ | 12.01 грн |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 281+ | 50.51 грн |
| 444+ | 31.96 грн |
| 719+ | 19.72 грн |
| 1000+ | 14.05 грн |
| 3000+ | 11.53 грн |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/P NP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/P NP BJT
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.67 грн |
| 10+ | 35.57 грн |
| 100+ | 19.61 грн |
| 500+ | 12.08 грн |
| 1000+ | 8.97 грн |
| 3000+ | 7.94 грн |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 70.15 грн |
| 50+ | 48.57 грн |
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 17.65 грн |
| 1500+ | 12.01 грн |
| BCM856BS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






