BCM856BS,115 Nexperia
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM856BS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCM856BS,115 за ціною від 4.60 грн до 52.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 678000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 678000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT363 65V .1A PNP/PNP BJT |
на замовлення 24669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
BCM856BS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM856BS,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| BCM856BS,115 | Виробник : NEXPERIA | BCM856BS.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 4024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
BCM856BS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| BCM856BS,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |


