BCM856BSH

BCM856BSH Nexperia


bcm856bs.pdf Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4927+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 4927
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCM856BSH Nexperia

Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Verlustleistung Pd: 200mW, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, DC-Kollektorstrom: 100mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції BCM856BSH за ціною від 5.37 грн до 46.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : Nexperia bcm856bs.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4927+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 4927
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0012073037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.17 грн
500+12.64 грн
1000+9.90 грн
5000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : Nexperia USA Inc. BCM856BS_BCM856DS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
15+21.53 грн
100+13.65 грн
500+9.60 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : Nexperia BCM856BS_BCM856DS.pdf Bipolar Transistors - BJT BCM856BS/SOT363/SC-88
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
15+23.69 грн
100+9.78 грн
1000+8.68 грн
3000+7.14 грн
9000+5.52 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0012073037-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM856BSH - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Verlustleistung Pd: 200mW
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.79 грн
30+27.56 грн
100+17.17 грн
500+12.64 грн
1000+9.90 грн
5000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : NEXPERIA bcm856bs_bcm856ds.pdf Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : NEXPERIA BCM856BS_BCM856DS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 400mW; SC88,SOT363,TSSOP6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Kind of package: reel; tape
Current gain: 200...450
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : Nexperia USA Inc. BCM856BS_BCM856DS.pdf Description: TRANS 2PNP 65V 100MA 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM856BSH BCM856BSH Виробник : NEXPERIA BCM856BS_BCM856DS.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 400mW; SC88,SOT363,TSSOP6
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Frequency: 175MHz
Kind of package: reel; tape
Current gain: 200...450
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.