BCM856SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM856SH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Інші пропозиції BCM856SH6327XTSA1 за ціною від 4.75 грн до 32.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 21473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 86247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCM856SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 71630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCM856SH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCM856SH6327XTSA1 - BCM856S NPN SILICON AF TRANSISTOR ARRAY tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 149720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2504 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BCM856SH6327XTSA1 | Infineon |
|
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5068+ | 6.96 грн |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5068+ | 6.96 грн |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 86247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5068+ | 6.96 грн |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.08 грн |
| 6000+ | 6.18 грн |
| 9000+ | 5.85 грн |
| 15000+ | 5.15 грн |
| 21000+ | 4.94 грн |
| 30000+ | 4.75 грн |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS 2PNP 65V 0.1A PG-SOT363-PO
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 71630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 16+ | 19.28 грн |
| 100+ | 12.16 грн |
| 500+ | 8.52 грн |
| 1000+ | 7.58 грн |
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCM856SH6327XTSA1 - BCM856S NPN SILICON AF TRANSISTOR ARRAY
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCM856SH6327XTSA1 - BCM856S NPN SILICON AF TRANSISTOR ARRAY
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 149720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCM856SH6327XTSA1 |
|
Виробник: Infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)