BCM857BV,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 7.39 грн |
| 8000+ | 6.82 грн |
| 12000+ | 6.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM857BV,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.
Інші пропозиції BCM857BV,115 за ціною від 5.79 грн до 29.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 6465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 18490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: -MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: -W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A |
на замовлення 6465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BCM857BV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 22862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCM857BV,115 Код товару: 180466 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250Hz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250Hz |
товар відсутній |