Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > BCM857BV,115

BCM857BV,115

BCM857BV.pdf
Код товару: 180466
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BCM857BV,115 за ціною від 12.82 грн до 51.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCM857BV,115 BCM857BV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.73 грн
250+20.65 грн
1000+15.32 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.94 грн
50+30.73 грн
250+20.65 грн
1000+15.32 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Nexperia BCM857BV.pdf Bipolar Transistors - BJT BCM857BV/SOT666/SOT6
на замовлення 28094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCM857BV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+30.73 грн
250+20.65 грн
1000+15.32 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCM857BV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+51.94 грн
50+30.73 грн
250+20.65 грн
1000+15.32 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV.pdf
BCM857BV,115
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BCM857BV/SOT666/SOT6
на замовлення 28094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.