Інші пропозиції BCM857BV,115 за ціною від 6.87 грн до 57.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 5444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCM857BV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 28094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCM857BV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |