Продукція > NEXPERIA > BCM857BV,115
BCM857BV,115

BCM857BV,115 NEXPERIA

NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.95 грн
250+18.04 грн
1000+10.54 грн
2000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCM857BV,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCM857BV,115 за ціною від 7.32 грн до 49.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : Nexperia BCM857BV.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT666 45V .1A PNP/PNP MATCHD
на замовлення 59955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.37 грн
14+25.26 грн
100+14.12 грн
500+10.64 грн
1000+8.91 грн
2000+8.15 грн
4000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002884097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BCM857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 300mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.72 грн
50+27.95 грн
250+18.04 грн
1000+10.54 грн
2000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BCM857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.00 грн
11+29.02 грн
50+21.07 грн
100+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115
Код товару: 180466
Додати до обраних Обраний товар

BCM857BV.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : NEXPERIA bcm857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : Nexperia bcm857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : Nexperia bcm857bv.pdf Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCM857BV,115 BCM857BV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. BCM857BV.pdf Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.