BCM857QASZ Nexperia
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1400+ | 9.29 грн |
| 2455+ | 5.29 грн |
| 2484+ | 5.23 грн |
| 2509+ | 5.00 грн |
| 2959+ | 3.92 грн |
| 3522+ | 3.16 грн |
| 6000+ | 2.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCM857QASZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCM857QASZ за ціною від 3.18 грн до 65.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCM857QASZ | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 6860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCM857QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCM857QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BCM857QASZ | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT |
на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BCM857QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ Код товару: 216033
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||||
 |
BCM857QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BCM857QASZ | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
BCM857QASZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| BCM857QASZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 230mW; DFN1010B-6,SOT1216 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.23W Case: DFN1010B-6; SOT1216 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 175Hz |
товару немає в наявності |