Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCM857QASZ за ціною від 3.24 грн до 36.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCM857QASZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 6860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
на замовлення 6860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT |
на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 350mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 4968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
BCM857QASZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mAtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 350mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 4968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1400+ | 10.13 грн |
| 2455+ | 5.77 грн |
| 2484+ | 5.71 грн |
| 2509+ | 5.45 грн |
| 2959+ | 4.28 грн |
| 3522+ | 3.45 грн |
| 6000+ | 3.24 грн |
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 19.10 грн |
| 74+ | 10.23 грн |
| 75+ | 10.13 грн |
| 131+ | 5.57 грн |
| 250+ | 5.10 грн |
| 500+ | 4.84 грн |
| 1000+ | 4.11 грн |
| 3000+ | 3.45 грн |
| 6000+ | 3.24 грн |
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS 2PNP 45V 100MA DFN1010B-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.50 грн |
| 14+ | 21.99 грн |
| 100+ | 14.01 грн |
| 500+ | 9.91 грн |
| 1000+ | 8.86 грн |
| 2000+ | 7.98 грн |
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A PNP/PNP BJT
на замовлення 5720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCM857QASZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: NEXPERIA - BCM857QASZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 350mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 175MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| BCM847QASZ Код товару: 216032
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






