BCP53-16E6327

BCP53-16E6327 Infineon Technologies


bcp51_bcp52_bcp53.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP53-16E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT-143R-3D, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-143R, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції BCP53-16E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCP 53-16 E6327 BCP 53-16 E6327 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT-143R-3D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP 53-16 E6327 BCP 53-16 E6327 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Description: TRANS PNP 80V 1A PG-SOT-143R-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143R-3D
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP 53-16 E6327 BCP 53-16 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCP51_BCP52_BCP53-DS-v01_01-en-540105.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP 53-16 E6327 Виробник : onsemi / Fairchild bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.