BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1997+ | 15.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 60V 1A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції BCP5216H6327XTSA1 за ціною від 15.58 грн до 21.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 1A PG-SOT223-4-10Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 67075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5216H6327XTSA1 - BCP52 - GENERAL PURPOSE TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 1A PG-SOT223-4-10Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
|||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT Y |
товару немає в наявності |
|||||
|
BCP5216H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 125MHz |
товару немає в наявності |


