BCP5216H6327XTSA1

BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies


bcp51_bcp52_bcp53.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 7000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5216H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції BCP5216H6327XTSA1 за ціною від 16.9 грн до 16.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1225+16.9 грн
Мінімальне замовлення: 1225
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Collector current: 1A
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bcp51_bcp52_bcp53.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156ad4194521c9 Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BCP51_BCP52_BCP53_DS_v01_01_en-1225926.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
товар відсутній
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCP5216H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Case: SOT223
Collector current: 1A
Frequency: 125MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
товар відсутній