BCP53-16T3G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 14.98 грн |
500+ | 11.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP53-16T3G ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP53-16T3G за ціною від 7.34 грн до 27.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 3729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR PNP 80V |
на замовлення 8195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP53-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BCP53-16T3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
товар відсутній |