на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.59 грн |
| 10+ | 36.90 грн |
| 100+ | 21.14 грн |
| 500+ | 16.61 грн |
| 1000+ | 14.64 грн |
| 3000+ | 12.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5316MTWG onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 875 mW.
Інші пропозиції BCP5316MTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP5316MTWG | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
BCP5316MTWG | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 875 mW |
товару немає в наявності |