BCP54-10,135 NXP Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2658+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP54-10,135 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA - BCP54-10,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP54, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCP54-10,135 за ціною від 5.80 грн до 66.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP54-10,135 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP54-10,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP54 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP54-10,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 650 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP54-10,135 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP54-10,135 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP54-10,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP54 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCP54-10,135 | Виробник : NXP |
SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
BCP54-10,135 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 45V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 650 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |



