BCP55,115 NEXPERIA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 4.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP55,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP55, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCP55,115 за ціною від 8.90 грн до 64.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP55,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1319972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCP55,115 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 765000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.35W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 483 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCP55,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BCP55,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73 |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BCP55,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BCP55,115 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN; Uceo, В = 60; Ic = 1 A; ft, МГц = 180; hFE = 63 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA; Р, Вт = 1,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-223 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
BCP55,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.35 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BCP55,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |