Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BCP55.115 за ціною від 3.79 грн до 13.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP55,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 761000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BCP55,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1053314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BCP55,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP55,115 | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP55,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP55,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BCP55,115 | NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 761000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2658+ | 13.33 грн |
| 10000+ | 11.89 грн |
| 100000+ | 9.96 грн |
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1053314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2658+ | 13.33 грн |
| 10000+ | 11.89 грн |
| 100000+ | 9.96 грн |
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
Bipolar Transistors - BJT BCP55/SOT223/SC-73
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP55,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP55,115 |
![]() |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 60, Ic = 1 A, ft, МГц = 180, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 50 мA, 500 мA, Р, Вт = 1,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 3.79 грн |





