BCP5510TA DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 17.86 грн |
| 35+ | 11.53 грн |
| 100+ | 7.22 грн |
| 259+ | 3.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5510TA DIODES INCORPORATED
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції BCP5510TA за ціною від 4.06 грн до 33.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCP5510TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 63...160 Quantity in set/package: 1000pcs. Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |