
BCP5510TA DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Quantity in set/package: 1000pcs.
Case: SOT223
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 63...160
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 11.55 грн |
54+ | 7.13 грн |
69+ | 5.62 грн |
100+ | 5.15 грн |
260+ | 3.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5510TA DIODES INCORPORATED
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції BCP5510TA за ціною від 3.95 грн до 35.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BCP5510TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Quantity in set/package: 1000pcs. Case: SOT223 Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 63...160 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 337 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BCP5510TA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BCP5510TA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |