BCP5516TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 8.04 грн |
| 2000+ | 6.93 грн |
| 3000+ | 6.53 грн |
| 5000+ | 5.69 грн |
| 7000+ | 5.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5516TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP55 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BCP5516TA за ціною від 3.70 грн до 35.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP5516TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP55 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP5516TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Current gain: 100...250 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP5516TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 9833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP5516TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Current gain: 100...250 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BCP5516TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BCP5516TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5516TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP55 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCP5516TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Tranzystor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5516TA; BCP55-16TA; BCP5516TA TBCP5516 DIO кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCP5516TA | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW SOT-223 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
BCP5516TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
BCP5516TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BCP5516TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BCP55-16TA | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |