BCP56-10TX NEXPERIA
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-10TX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCP56, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCP56-10TX за ціною від 6.91 грн до 46.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 5962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BCP56-10TX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BCP56-10TX | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 155MHz |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BCP56-10TX | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...160 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 155MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BCP56-10TX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
BCP56-10TX | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BCP56-10T/SOT223/SC-73 |
товару немає в наявності |