| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 515+ | 27.51 грн |
| 752+ | 18.83 грн |
| 759+ | 18.65 грн |
| 1016+ | 13.43 грн |
| 1360+ | 9.29 грн |
| 3000+ | 8.83 грн |
| 6000+ | 7.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
515 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5616T3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP5616T3G за ціною від 3.37 грн до 54.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP56-16T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
BCP56-16T3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN |
на замовлення 27952 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP56-16T3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
BCP56-16T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| BCP56-16T3G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 54.61 грн |
| 21+ | 36.80 грн |
| 100+ | 26.26 грн |
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 27952 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BCP56-16T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCP56-16T3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.37 грн |





