BCP5610TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.06 грн |
| 19+ | 15.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5610TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BCP5610TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP56 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP5610TA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCP5610TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCP5610TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)