BCP56-16 REALCHIP
Виробник: REALCHIP
Tranzystor NPN; 250; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-16,135; BCP56-16,115; BCP56-16 STM; BCP56-16TX; BCP56-16TR; BCP56-16 SOT223 RealChip TBCP5616 REA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP56-16 REALCHIP
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP56-16 за ціною від 3.24 грн до 62.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCP56-16 | YFW |
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SOT223 YFW TBCP5616 YFWкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | YY |
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16 SOT223 YANGJIE TBCP5616 YYкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | SLKOR |
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP5616H6327XTSA1; BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16-TP; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLKкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2184 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | ST |
Transistor NPN; 250; 1,6W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; BCP56-16 STM TBCP5616 STMкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 100...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 3566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BCP56-16 | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN |
на замовлення 33369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-223 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.6 W |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Voltage |
на замовлення 11530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BCP56-16 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BCP56-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BCP56-16 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCP5616 | ZETEX | 06+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: YFW
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SOT223 YFW TBCP5616 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16-TP; BCP5616H6327XTSA1; BCP56-16 SOT223 YFW TBCP5616 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.24 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: YY
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16 SOT223 YANGJIE TBCP5616 YY
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP56-16 SOT223 YANGJIE TBCP5616 YY
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.31 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: SLKOR
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP5616H6327XTSA1; BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16-TP; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BCP56-16,115; BCP56-16,135; BCP56-16T1G; BCP56-16T3G; BCP5616H6327XTSA1; BCP5616TA; BCP5616TC; BCP56-16-TP; BCP56-16 SLKOR TBCP5616 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 3.44 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 4.58 грн |
| 5000+ | 3.96 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: ST
Transistor NPN; 250; 1,6W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; BCP56-16 STM TBCP5616 STM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 250; 1,6W; 80V; 1A; -65°C ~ 150°C; BCP56-16 STM TBCP5616 STM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.90 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 16.37 грн |
| 2000+ | 14.30 грн |
| 3000+ | 13.56 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.36 грн |
| 25+ | 12.49 грн |
| 100+ | 7.83 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.11 грн |
| 20+ | 15.31 грн |
| 100+ | 9.64 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 100...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 28.26 грн |
| 20+ | 21.67 грн |
| 23+ | 18.88 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.86 грн |
| 17+ | 18.36 грн |
| 100+ | 11.60 грн |
| 500+ | 8.13 грн |
| 1000+ | 7.24 грн |
| 2000+ | 6.49 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 80V, 1000mA, NPN
на замовлення 33369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.49 грн |
| 17+ | 19.73 грн |
| 100+ | 10.90 грн |
| 500+ | 8.09 грн |
| 1000+ | 6.47 грн |
| 4000+ | 6.40 грн |
| 8000+ | 5.63 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 54.70 грн |
| 13+ | 32.68 грн |
| 100+ | 19.55 грн |
| 500+ | 14.39 грн |
| 1000+ | 12.95 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.34 грн |
| 10+ | 35.35 грн |
| 100+ | 22.88 грн |
| 500+ | 16.42 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 60.96 грн |
| 24+ | 35.36 грн |
| 100+ | 24.37 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Voltage
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Voltage
на замовлення 11530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.11 грн |
| 10+ | 38.01 грн |
| 100+ | 21.38 грн |
| 500+ | 16.39 грн |
| 1000+ | 14.70 грн |
| 2000+ | 12.66 грн |
| 5000+ | 11.25 грн |
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCP56-16 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BCP56-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.











