BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5616H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції BCP5616H6327XTSA1 за ціною від 8.06 грн до 45.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCP5616H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP5616H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP5616H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 100MHz |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BCP5616H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BCP5616H6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5616H6327XTSA1 - BCP56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1180 шт В кошику од. на суму грн. |
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 13.19 грн |
| 2000+ | 11.49 грн |
| 3000+ | 10.87 грн |
| 5000+ | 9.55 грн |
| 7000+ | 9.44 грн |
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 16.51 грн |
| 84+ | 8.97 грн |
| 100+ | 8.06 грн |
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 45.06 грн |
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5616H6327XTSA1 - BCP56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCP5616H6327XTSA1 - BCP56 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





