Продукція > ONSEMI > BCP5616MTWG
BCP5616MTWG

BCP5616MTWG onsemi

BCP56M_D-3538106.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 80V 1A NPN WDFNW3 2X2
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.78 грн
12+30.13 грн
100+17.83 грн
500+15.63 грн
1000+12.77 грн
3000+11.16 грн
9000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5616MTWG onsemi

Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції BCP5616MTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCP5616MTWG BCP5616MTWG Виробник : ON Semiconductor bcp56m-d.pdf General Purpose Transistor Medium Power, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWG BCP5616MTWG Виробник : ON Semiconductor bcp56m-d.pdf General Purpose Transistor Medium Power, NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616MTWG BCP5616MTWG Виробник : onsemi bcp56m-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.