BCP5616QTC Diodes Incorporated


BCP5416Q_BCP5616Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
14+21.49 грн
100+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5616QTC Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BCP5616QTC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCP5616QTC BCP5616QTC Diodes Incorporated BCP5416Q_BCP5616Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC BCP5416Q_BCP5616Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.