Продукція > DIODES INCORPORATED > BCP5616QTC
BCP5616QTC

BCP5616QTC Diodes Incorporated

BCP5416Q_BCP5616Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.65 грн
14+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5616QTC Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCP56 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BCP5616QTC

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCP5616QTC BCP5616QTC Diodes Incorporated BCP5416Q_BCP5616Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC BCP5616QTC DIODES INC. DIOD-S-A0013316953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC BCP5616QTC DIODES INC. DIOD-S-A0013316953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC BCP5416Q_BCP5616Q.pdf
BCP5616QTC
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC DIOD-S-A0013316953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP5616QTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616QTC DIOD-S-A0013316953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP5616QTC
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCP5616QTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.