BCP5616TTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 5.81 грн |
2000+ | 4.71 грн |
5000+ | 4.5 грн |
10000+ | 3.65 грн |
25000+ | 3.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCP5616TTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BCP5616TTA за ціною від 3.66 грн до 27.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BCP5616TTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W |
на замовлення 46809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товар відсутній |
||||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товар відсутній |
||||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : Diodes Inc | 80V NPN Medium Power Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||
BCP5616TTA | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K |
товар відсутній |