Продукція > DIODES INCORPORATED > BCP5616TTA
BCP5616TTA

BCP5616TTA Diodes Incorporated

BCP5616T.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5616TTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BCP5616TTA за ціною від 12.52 грн до 35.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCP5616TTA BCP5616TTA Diodes Incorporated BCP5616T.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+21.13 грн
25+17.51 грн
50+14.31 грн
100+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Diodes Zetex bcp5616t.pdf 80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA Diodes Incorporated BCP54_55_56.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616T.pdf
BCP5616TTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
15+21.13 грн
25+17.51 грн
50+14.31 грн
100+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA bcp5616t.pdf
BCP5616TTA
Виробник: Diodes Zetex
80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP54_55_56.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.