BCP5616TTA

BCP5616TTA Diodes Zetex


bcp5616t.pdf Виробник: Diodes Zetex
80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 38000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3199+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3199
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP5616TTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BCP5616TTA за ціною від 3.65 грн до 25.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : Diodes Zetex bcp5616t.pdf 80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3199+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3199
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : Diodes Zetex bcp5616t.pdf 80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3199+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 3199
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : Diodes Incorporated BCP5616T.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+6.55 грн
2000+5.64 грн
3000+5.29 грн
5000+4.60 грн
7000+4.38 грн
10000+4.17 грн
25000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : Diodes Incorporated BCP5616T.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
20+15.25 грн
100+9.59 грн
500+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013317062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA BCP5616TTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013317062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA Виробник : Diodes Inc bcp5616t.pdf 80V NPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTA Виробник : Diodes Incorporated BCP54_55_56-1524970.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.