Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BCP56T1G
BCP56T1G

BCP56T1G ON Semiconductor

1143802747100619bcp56t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP56T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції BCP56T1G за ціною від 4.56 грн до 30.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI 2160718.pdf Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7000+8.45 грн
21000+ 8.37 грн
Мінімальне замовлення: 7000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.5 грн
7000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+9.24 грн
7000+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1177+9.95 грн
7000+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 1177
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+10.06 грн
2000+ 8.66 грн
5000+ 8.22 грн
10000+ 7.16 грн
25000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1084+10.8 грн
2000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 1084
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1081+10.83 грн
2000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 1081
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 149000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+22.97 грн
22+ 16.31 грн
29+ 11.97 грн
79+ 10.11 грн
100+ 9.77 грн
216+ 9.56 грн
250+ 9.43 грн
500+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.44 грн
13+ 21.95 грн
100+ 15.26 грн
500+ 11.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.56 грн
13+ 20.32 грн
25+ 14.37 грн
79+ 12.14 грн
100+ 11.72 грн
216+ 11.48 грн
250+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi BCP56T1_D-2310426.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 18438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.97 грн
13+ 24.08 грн
100+ 15.65 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.45 грн
2500+ 8.65 грн
7000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BCP56T1G Виробник : ON-Semicoductor bcp56t1-d.pdf NPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5014 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 200
BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 130; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223
на замовлення 280 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+30.87 грн
22+ 28.81 грн
100+ 26.75 грн
Мінімальне замовлення: 21
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній