BCP56T1G

BCP56T1G ON Semiconductor


bcp56t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP56T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BCP56T1G за ціною від 5.02 грн до 47.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1425+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 1425
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor 1143802747100619bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI bcp56t1-d.pdf Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 7000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1223+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 1223
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1133+10.80 грн
3000+10.29 грн
5000+9.99 грн
8000+9.43 грн
25000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 1133
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.82 грн
2000+11.15 грн
3000+10.54 грн
5000+9.25 грн
7000+8.87 грн
10000+8.50 грн
25000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 107000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.09 грн
21+19.42 грн
91+10.22 грн
250+9.67 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.53 грн
250+20.74 грн
1000+12.58 грн
3000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED999CF4B32505C3820&compId=BCP56_ser.pdf?ci_sign=d85bc22652e5b082e5bd197e542106c378022550 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.51 грн
13+24.19 грн
91+12.26 грн
250+11.60 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
375+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 375
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi BCP56T1_D-1802569.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 50433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.16 грн
12+31.15 грн
100+17.36 грн
500+13.21 грн
1000+9.81 грн
2000+8.75 грн
5000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : onsemi bcp56t1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 32128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.34 грн
12+28.30 грн
100+18.15 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 27518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.83 грн
50+28.53 грн
250+20.74 грн
1000+12.58 грн
3000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G Виробник : ON-Semicoductor bcp56t1-d.pdf NPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G Виробник : On Semiconductor bcp56t1-d.pdf TRANS NPN 80V 1A SOT223-4
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,5; Uceo, В = 80; Ic = 1 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 130; hFE = 40 @ 150 мА, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА; Тексп, °С = -65...+150; SOT-223
на замовлення 280 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G Виробник : ON Semiconductor bcp56t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.