Продукція > ON-SEMICONDUCTOR > BCP56T1G
BCP56T1G

BCP56T1G ON-Semiconductor

info-tbcp56t1.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
NPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCP56T1G ON-Semiconductor

Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BCP56T1G за ціною від 10.04 грн до 46.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCP56T1G BCP56T1G onsemi BCP56T1-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.90 грн
2000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.20 грн
3000+17.08 грн
5000+16.92 грн
8000+16.28 грн
25000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.00 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ON Semiconductor bcp56t1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
372+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI BCP56_ser.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.26 грн
12+36.99 грн
13+33.30 грн
50+21.67 грн
100+17.24 грн
250+13.30 грн
500+11.55 грн
1000+10.54 грн
2000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G onsemi BCP56T1-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+27.94 грн
100+17.88 грн
500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G onsemi BCP56T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 30890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1G ONSEMI BCP56T1-D.PDF Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G ON Semiconductor BCP56T1_ONS.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+11.90 грн
2000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.57 грн
2000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+18.20 грн
3000+17.08 грн
5000+16.92 грн
8000+16.28 грн
25000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+38.00 грн
100+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G bcp56t1d.pdf
BCP56T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
372+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 372 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56_ser.pdf
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.26 грн
12+36.99 грн
13+33.30 грн
50+21.67 грн
100+17.24 грн
250+13.30 грн
500+11.55 грн
1000+10.54 грн
2000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.92 грн
11+27.94 грн
100+17.88 грн
500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 30890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G ONSM-S-A0013178767-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1-D.PDF
BCP56T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1G BCP56T1_ONS.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.