Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR108WH6327
BCR108WH6327

BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.17 грн
85+4.87 грн
100+4.38 грн
275+3.35 грн
755+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 170 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції BCR108WH6327 за ціною від 3.24 грн до 24.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR108WH6327 BCR108WH6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.41 грн
50+6.07 грн
100+5.25 грн
275+4.02 грн
755+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 108W H6327 BCR 108W H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR108SERIES-DS-v01_01-en-1225436.pdf Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 33104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.21 грн
22+16.40 грн
100+9.06 грн
500+5.58 грн
1000+4.38 грн
3000+3.85 грн
6000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS17177-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.