BCR 129 E6327 Infineon
Виробник: Infineon
NPN 50V 100mA 150MHz 200mW BCR129E6327HTSA1 BCR129E6327 Infineon TBCR129
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 129 E6327 Infineon
Description: BCR129 - DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCR 129 E6327 за ціною від 2.97 грн до 33.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR 129 E6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BCR 129 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 20489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BCR 129 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8362+ | 2.97 грн |
| BCR 129 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 20489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.22 грн |
| 15+ | 22.70 грн |
| 100+ | 12.48 грн |
| 500+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 6.84 грн |
| 3000+ | 5.99 грн |
| 6000+ | 5.07 грн |