BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 11.72 грн |
| 100+ | 2.83 грн |
| 250+ | 1.82 грн |
| 1000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms.
Інші пропозиції BCR129WH6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BCR129WH6327 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 150MHz |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
BCR129WH6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
|
 |
BCR 129W H6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
товару немає в наявності |