BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 13.52 грн |
| 50+ | 9.27 грн |
| 100+ | 7.81 грн |
| 200+ | 6.44 грн |
| 250+ | 6.05 грн |
| 400+ | 5.34 грн |
| 500+ | 5.01 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 130MHz, Kind of transistor: BRT, Base resistor: 10kΩ, Base-emitter resistor: 10kΩ.
Інші пропозиції BCR133E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 133 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 130, hFE = 30 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Група това кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BCR 133 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA |
товару немає в наявності |