Продукція > INFINEON > BCR 133W H6327
BCR 133W H6327

BCR 133W H6327 Infineon

info-tbcr133w.pdf
Виробник: Infineon
NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR133WH6327XTSA1 BCR133WH6327 Infineon TBCR133w
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR 133W H6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 130 MHz, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BCR 133W H6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR133WH6327 BCR133WH6327 Infineon Technologies INFNS17147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 133W H6327 BCR 133W H6327 Infineon Technologies Infineon-BCR133SERIES-DS-v01_01-en[1]-1225502.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133WH6327 INFNS17147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR133WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 130 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 133W H6327 Infineon-BCR133SERIES-DS-v01_01-en[1]-1225502.pdf
BCR 133W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.