Технічний опис BCR135-E6327 Infineon
Транзистор цифровий smd, Структура = NPN, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,1, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 мА, Ptot, Вт = 0,2, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистор, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції BCR135-E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 135 E6327 | INFINEON | 09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| BCR 135 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR 135 E6327 |
Виробник: INFINEON
09+
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| BCR 135 E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


