BCR141SH6327 Infineon
Виробник: Infineon
2NPN 50V 100mA 130MHz 250mW BCR141SH6327XTSA1 BCR141SH6327 Infineon TBCR141s
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR141SH6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1, Part Status: Active.
Інші пропозиції BCR141SH6327 за ціною від 5.78 грн до 5.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR 141S H6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT363-6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| BCR 141S H6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR 141S H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3796+ | 5.78 грн |
| BCR 141S H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)