Технічний опис BCR142 E6327 INFINEON
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції BCR142 E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 142 E6327 | Infineon Technologies |
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 16568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR 142 E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 16568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


