BCR146E6327 Infineon
Виробник: Infineon
NPN 50V 70mA 150MHz 200mW BCR146E6327HTSA1 BCR146E6327 Infineon TBCR146
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 1.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR146E6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCR146E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR 146 E6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR |
на замовлення 38913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BCR 146 E6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 38913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)