Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR185WE6327
BCR185WE6327

BCR185WE6327 Infineon Technologies

INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 375000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8955+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 8955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR185WE6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції BCR185WE6327 за ціною від 1.24 грн до 1.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR 185W E6327 Infineon Technologies BCR185_Infineon.pdf Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 INFINEON INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 185W E6327 BCR185_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = PNP, Ic = 0,1, ft, МГц = 200, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Ко
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8190 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WE6327 INFNS11751-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
07+
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.