BCR 191W H6327 Infineon
Виробник: Infineon
PNP 50V 100mA 200MHz 250mW BCR191WH6327XTSA1 BCR191WH6327 Infineon TBCR191w
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR 191W H6327 Infineon
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BCR 191W H6327 за ціною від 2.97 грн до 34.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR191WH6327 | Infineon Technologies |
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| BCR 191W H6327 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BCR191WH6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9000+ | 2.97 грн |
| BCR 191W H6327 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.54 грн |
| 12+ | 27.56 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| 500+ | 8.39 грн |