BCR196TE6327

BCR196TE6327 Infineon Technologies


INFNS18608-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR196TE6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.07A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SC75-3D, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції BCR196TE6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR 196T E6327 BCR 196T E6327 Виробник : Infineon Technologies BCR196%20%282006%29.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.07A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SC75-3D
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 196T E6327 Виробник : Infineon Technologies BCR196%20%282006%29.pdf Infineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.