BCR196WE6327 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13172+ | 1.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR196WE6327 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT323-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 250 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.
Інші пропозиції BCR196WE6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 196W E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
товару немає в наявності |