BCR35PNH6327

BCR35PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6B81F686DE469&compId=BCR35PNH6327.pdf?ci_sign=d3b4d6d323b746cd2a87e679255d63f2a25347e6 Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.03 грн
60+7.07 грн
100+6.45 грн
150+6.15 грн
415+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR35PNH6327 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції BCR35PNH6327 за ціною від 5.71 грн до 42.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR35PNH6327 BCR35PNH6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C6B81F686DE469&compId=BCR35PNH6327.pdf?ci_sign=d3b4d6d323b746cd2a87e679255d63f2a25347e6 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.63 грн
35+8.82 грн
100+7.73 грн
150+7.38 грн
415+6.98 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 Виробник : Infineon Technologies INFNS19243-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4116+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 4116
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 35PN H6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR35PN-DS-v01_01-en-514497.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR
на замовлення 9088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+42.17 грн
12+31.33 грн
100+16.98 грн
500+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.