на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 10.79 грн |
| 201+ | 5.52 грн |
| 552+ | 5.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR555E6327 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції BCR555E6327
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BCR 555 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 330 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
||
| BCR 555 E6327 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
товару немає в наявності |