Продукція > INFINEON > BCR555E6327

BCR555E6327 Infineon

bcr555.pdf
Виробник: Infineon
TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR555E6327 Infineon

Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 150 MHz, Power - Max: 330 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції BCR555E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BCR 555 E6327 Infineon Technologies INFNS10690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 555 E6327 Infineon Technologies Infineon-BCR555-DS-v01_01-en.pdf Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 555 E6327 INFNS10690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 150 MHz
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 555 E6327 Infineon-BCR555-DS-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors PNP Silicon Digital TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.