Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BCR583E6327
BCR583E6327

BCR583E6327 Infineon Technologies

INFNS10861-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 839042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4418+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 4418
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR583E6327 Infineon Technologies

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V, Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 330 mW, Frequency - Transition: 150 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BCR583E6327 за ціною від 4.14 грн до 26.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR583E6327 BCR583E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCR583.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
53+7.07 грн
100+ 5.95 грн
180+ 4.41 грн
494+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 53
BCR583E6327 BCR583E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCR583.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 0.33W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+8.48 грн
100+ 7.41 грн
180+ 5.29 грн
494+ 5 грн
3000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 32
BCR 583 E6327 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BCR583-DS-v01_01-en-514540.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 24580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.38 грн
15+ 20.33 грн
100+ 10.98 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 5.19 грн
9000+ 4.47 грн
24000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
BCR 583 E6327
Код товару: 183979 		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній