BCR08PN-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.22 грн |
| 54+ | 7.79 грн |
| 81+ | 5.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR08PN-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.
Інші пропозиції BCR08PN-AQ за ціною від 8.83 грн до 52.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor |
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
BCR08PN-AQ | Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101 |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BCR08PN-AQ | DIOTEC |
Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| BCR08PN-AQ | Diotec Electronics |
BCR08PN-AQ |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BCR08PN-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 52.38 грн |
| BCR08PN-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BCR08PN-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BCR08PN-AQ |
![]() |
Виробник: Diotec Electronics
BCR08PN-AQ
BCR08PN-AQ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1483+ | 9.54 грн |
| 1601+ | 8.83 грн |




