BCR08PN-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR


bcr08pn.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 170MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
54+7.79 грн
81+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR08PN-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції BCR08PN-AQ за ціною від 8.83 грн до 52.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BCR08PN-AQ BCR08PN-AQ Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ BCR08PN-AQ Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ BCR08PN-AQ DIOTEC bcr08pn.pdf Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ Diotec Electronics bcr08pn.pdf BCR08PN-AQ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+9.54 грн
1601+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 1483 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ bcr08pn.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BIASED BJT, SOT-363, NPN+PNP, 2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ bcr08pn.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA, AEC-Q101
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ bcr08pn.pdf
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - BCR08PN-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN-AQ bcr08pn.pdf
Виробник: Diotec Electronics
BCR08PN-AQ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1483+9.54 грн
1601+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 1483 шт
В кошику  од. на суму  грн.