BCR08PN Diotec Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR08PN Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BCR08PN за ціною від 2.89 грн до 23.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ Case: SOT363 Frequency: 170MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR08PN | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ Case: SOT363 Frequency: 170MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 2542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR08PN | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Digital Transistors Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BCR08PN | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 |
товару немає в наявності |