BCR08PN

BCR08PN DIOTEC


bcr08pn.pdf Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.19 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR08PN DIOTEC

Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції BCR08PN за ціною від 2.66 грн до 19.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR08PN BCR08PN Виробник : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2308+5.61 грн
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 2308
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN BCR08PN Виробник : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.20 грн
26+11.39 грн
100+7.08 грн
500+4.90 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN BCR08PN Виробник : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Digital Transistors Digital Transistor, SOT-363, 50V, 100mA
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.83 грн
27+12.01 грн
100+6.49 грн
500+4.85 грн
1000+4.30 грн
3000+3.76 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN BCR08PN Виробник : DIOTEC bcr08pn.pdf Description: DIOTEC - BCR08PN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+19.83 грн
66+12.19 грн
106+7.58 грн
500+5.19 грн
1000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR bcr08pn.pdf BCR08PN-DIO Complementary transistors
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.75 грн
325+3.60 грн
892+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR08PN BCR08PN Виробник : Diotec Semiconductor bcr08pn.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.