BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 170MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: PG-SOT363-PO.
Інші пропозиції BCR08PNH6327XTSA1 за ціною від 1.92 грн до 32.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1296000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR |
на замовлення 85370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
NPN/PNP 50V 170MHz 250mW BCR08PNH6327XTSA1 BCR08PNH6327 Infineon TBCR08pnкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC88,SOT363 Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC88; SOT363 Current gain: 70 Mounting: SMD Frequency: 170MHz Semiconductor structure: double Base resistor: 2.2kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR08PNH6327XTSA1 - BCR 08PN - AF DIGITAL TRANSISTORtariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BCR08PNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 170MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO |
товару немає в наявності |


